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半導體晶體生長系列
· 氮化鎵晶體生長室（高溫高壓鈉流法）
用途：
主要用于粉末成型、預織成型工件的脫脂，也可用于高溫加壓燒結、浸滲增強、晶體轉化生長、化合反應等工藝，采用電阻加熱。
優(yōu)勢和特點：
工作溫度從常溫到3000℃，壓力從5MPa到200MPa，可廣泛滿足硬質合金、3D打印、特種陶瓷、復合材料、電子、化工等領域的要求。
可根據客戶實際需求定制。
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傳真：024-24809927
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